在今年IEDM會議（國際電子器件會議）上,，英特爾公布了其工藝技術(shù)路線圖以及未來三到四年內(nèi)可用的芯片設(shè)計(jì)愿景,。
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該計(jì)劃透露了英特爾 18A（等效1.8 nm級）工藝的最新時(shí)間表，預(yù)計(jì)將該工藝提前至2024 年下半年進(jìn)入大批量制造 (HVM),，這將遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過臺積電2nm工藝的進(jìn)度,。
面對英特爾的挑戰(zhàn),，臺積電聯(lián)席CEO魏哲家在近期回應(yīng)稱，他不會評價(jià)競爭對手的發(fā)展,，但同時(shí),，“臺積電的N3工藝率先實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)，是當(dāng)前最先進(jìn)的,，N2工藝還會再次這么做,，甚至?xí)䲠U(kuò)大領(lǐng)導(dǎo)地位�,！�
據(jù)報(bào)道稱,，英特爾18A工藝是該公司掌握五代CPU工藝中的最后一環(huán),，是20A工藝的改進(jìn)版,，每瓦性能比提升10%,，同時(shí)它也是對外代工的主力,。也就在前不久,，英特爾與ARM達(dá)成了合作協(xié)議，將基于18A工藝為ARM生產(chǎn)芯片,。
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而臺積電的2nm工藝將放棄FinFET晶體管結(jié)構(gòu),，首次使用GAA晶體管,，相較于其N3E（3nm的低成本版）工藝，在相同功耗下,，臺積電2nm工藝的性能將提升10~15%。但相較于前代工藝,，升級幅度并不大。
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在英特爾看來，18A工藝是與臺積電競爭的關(guān)鍵，后者的2nm工藝預(yù)計(jì)在2025年才能量產(chǎn)。
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