近日，華為Mate 60 Pro手機搭載的麒麟9000S處理器,，將公眾視線再次聚焦到了國產(chǎn)芯片制造之上,。
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雖然目前代工廠未知,，工藝未知,，甚至GPU,、CPU核等都有很多未知，但不妨礙大家的興奮和猜測,，那就是沒有EUV光刻機,，我們能不能國產(chǎn)7nm的芯片？
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事實上,，這個問題已經(jīng)是老生常談了,，ASML目前在售的DUV光刻機中，有四種高端的浸潤式光刻機,，分別是NXT:2100i,、NXT:2050i、NXT:2000i,、NXT:1980Di,。
這4種浸潤式光刻機，最高都是能夠?qū)崿F(xiàn)7nm芯片工藝的,，怎么來實現(xiàn)呢,，用的是多重曝光技術(shù)。
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并且目前這種多重曝光技術(shù),，還有三種不同的方案,，三種方案均可以在沒有EUV光刻機，僅有浸潤式光刻機的情況之下,，實現(xiàn)7nm工藝,。
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這三種方式分別是LELE、LFLE,、SADP,。
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具體來說，LELE是指將原本一層的電路,，拆分成幾層進行光刻機,，這樣即使是DUV光刻機，也可以實現(xiàn)7nm,。
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LFLE與LELE差不多,，區(qū)別就是LELE是直接拆分成幾層來光刻，而LFLE則是將第二層光刻膠加在第一層已被化學(xué)凍結(jié)但沒去除的光刻膠上,，再次進行光刻,，形成兩倍結(jié)構(gòu)。
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而SADP技術(shù)則與上面兩種完全不一樣了,，SADP又稱側(cè)墻圖案轉(zhuǎn)移,，用沉積,、刻蝕技術(shù)提高光刻精度。
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不過大家要注意的是,，不管是LELE,，還是LFLE，或者SADF技術(shù),，都提高了對刻蝕,、 沉積光刻等工藝的技術(shù)要求，同時對工作臺的要求也非常高,，因為多次對準(zhǔn),，不能有偏移。
而通過多重曝光影響也比較大,，一是會導(dǎo)致良率降低,，畢竟多曝光一次，誤差肯定就會變大,，所以良率就會降低一些,。
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同時多曝光一次，就相當(dāng)于光刻的工時翻倍,，效率降低一半,，那么成本也會增加一倍。
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所以如果光刻機精度跟得上的情況下,，一般不會采用多次曝光的技術(shù),，因為效率降低，同時良率也會顯著下滑,，最終導(dǎo)致成本可能成倍數(shù)上漲,，非常不劃算的。
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只有在買不到高精度的光刻機,，又急需工藝較先進的芯片時,，就不去考慮成本，不得不采用多重曝光技術(shù)了,。
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所以我這也算是給大家解釋了,，為什么沒有EUV光刻機，也能夠生產(chǎn)7nm芯片的原因,。不過要進入5nm，就必須使用EUV光刻機,，因為DUV光刻機精度有限,，不能無限的多次曝光，按照專業(yè)人士的說法,，目前的DUV光刻技術(shù)下,，最多4次曝光,，最多也只能達到7nm。
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