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標題: ASML今年發(fā)貨第一臺高NA EUV光刻機：成本逼近30億元,！ [打印本頁]

作者: aiyusheng 時間: 2023-9-11 10:22
標題: ASML今年發(fā)貨第一臺高NA EUV光刻機：成本逼近30億元,！
本帖最后由 aiyusheng 于 2023-9-11 10:23 編輯

EUV光刻技術的推進相當困難，光刻機龍頭ASML也是舉步維艱，一點點改進,。

快科技9月7日消息,，ASML宣布,，將在今年底發(fā)貨第一臺支持高NA(數(shù)值孔徑)的EUV極紫外光刻機,，型號“Twinscan EXE:5000”。

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NA數(shù)值孔徑是光刻機光學系統(tǒng)的重要指標，直接決定了光刻的實際分辨率,，以及最高能達到的工藝節(jié)點,。

ASML現(xiàn)有最先進的EUV光刻機是NEX:3400C、NEX:3400D,，NA只有0.33,，對應的分辨率為13nm，可以生產(chǎn)金屬間距在38-33nm之間的芯片,。

但是，金屬間距縮小到30nm以下之后,，也就是對應的工藝節(jié)點超越5nm,，這樣的分辨率就不夠了，只能使用EUV雙重曝光和/或曝光成形(pattern shaping)技術來輔助,，不但會大大增加成本,，還會降低良品率。

因此,，更高的NA成為必需,，新一代EXE:5000就能做到0.55 NA，光刻分辨率也將縮小到8nm,。

EXE:5000有點像是實驗平臺,，供芯片制造廠學習如何使用高NA EUV技術，而預計2025年發(fā)貨的下一代EXE:5200,，才能支持大規(guī)模量產(chǎn),。

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Intel最初計劃在其18A(1.8nm)工藝節(jié)點使用ASML的高NA EUV光刻機，2025年量產(chǎn),，但后來提前到了2024年下半年,，等不及ASML的新機器。

于是,，Intel就改用0.33 NA NXE:3600D/3800E,，疊加雙重曝光來實現(xiàn)18A工藝，同時使用應用材料的Endura Sculpta的曝光成形系統(tǒng)來盡可能減少雙重曝光的使用,。

盡管如此,，Intel依然會是高NA EUV光刻機的第一家客戶，可能會在18A節(jié)點的后期引入它,。臺積電,、三星都計劃在2025年晚些時候投產(chǎn)2nm工藝，或許也會用上高NA EUV光刻機,。

至于這種先進光刻機的價格,，沒有官方數(shù)據(jù)，不同報告估計在單臺成本就要3-4億美元，相當于人民幣22-29億元,。

作者: 喂我袋鹽 時間: 2023-9-11 18:26
再不出貨,，就被中國白菜化了。

作者: babty 時間: 2023-9-12 08:26
近在咫尺,，遠在天涯,。

作者: 小刺 時間: 2023-9-12 08:26
真不便宜啊，也不知道哪些冤大頭會買

作者: 白無無 時間: 2023-9-12 08:27
這個質(zhì)保有多少年,？保修費一年得多少�,。�

作者: wuqitao0000 時間: 2023-9-12 10:57
再不出貨,，就被中國白菜化了,。

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