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標(biāo)題: 研制成功,！中子探測(cè)器關(guān)鍵技術(shù)實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化 [打印本頁(yè)]

作者: twq19810302 時(shí)間: 2023-10-23 15:56
標(biāo)題: 研制成功！中子探測(cè)器關(guān)鍵技術(shù)實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化
近日,，中國(guó)散裂中子源（CSNS）探測(cè)器團(tuán)隊(duì)利用自主研制的磁控濺射大面積鍍硼專(zhuān)用裝置,，成功制備出滿(mǎn)足中子探測(cè)器需求的高性能大面積碳化硼薄膜樣品，單片面積達(dá)到1500mm×500mm,，薄膜厚度1微米,，全尺寸范圍內(nèi)厚度均勻性?xún)?yōu)于±1.32%，是目前國(guó)際上用于中子探測(cè)的最大面積的碳化硼薄膜,。

高性能大面積碳化硼薄膜樣品,。受訪(fǎng)單位供圖。

據(jù)了解,，經(jīng)過(guò)多年技術(shù)攻關(guān)和工藝試制,，團(tuán)隊(duì)攻克了濺射靶材制作、過(guò)渡層選擇,、基材表面處理等對(duì)鍍膜質(zhì)量影響大的關(guān)鍵技術(shù),，利用該裝置制備了多種規(guī)格的碳化硼薄膜，并成功應(yīng)用于CSNS多臺(tái)中子譜儀上的陶瓷GEM中子探測(cè)器,，實(shí)現(xiàn)了中子探測(cè)器關(guān)鍵技術(shù)和器件的國(guó)產(chǎn)化,，為接下來(lái)研制更大面積的高性能新型中子探測(cè)器提供了強(qiáng)有力的技術(shù)支撐。

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