本帖最后由 aiyusheng 于 2023-9-11 10:23 編輯
EUV光刻技術(shù)的推進(jìn)相當(dāng)困難,,光刻機(jī)龍頭ASML也是舉步維艱,,一點(diǎn)點(diǎn)改進(jìn),。
快科技9月7日消息,,ASML宣布,,將在今年底發(fā)貨第一臺(tái)支持高NA(數(shù)值孔徑)的EUV極紫外光刻機(jī),,型號“Twinscan EXE:5000”。
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2023-9-11 10:22 上傳
NA數(shù)值孔徑是光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)的重要指標(biāo),,直接決定了光刻的實(shí)際分辨率,,以及最高能達(dá)到的工藝節(jié)點(diǎn)。
ASML現(xiàn)有最先進(jìn)的EUV光刻機(jī)是NEX:3400C,、NEX:3400D,,NA只有0.33,對應(yīng)的分辨率為13nm,,可以生產(chǎn)金屬間距在38-33nm之間的芯片,。
但是,金屬間距縮小到30nm以下之后,,也就是對應(yīng)的工藝節(jié)點(diǎn)超越5nm,,這樣的分辨率就不夠了,只能使用EUV雙重曝光和/或曝光成形(pattern shaping)技術(shù)來輔助,,不但會(huì)大大增加成本,,還會(huì)降低良品率。
因此,,更高的NA成為必需,,新一代EXE:5000就能做到0.55 NA,光刻分辨率也將縮小到8nm,。
EXE:5000有點(diǎn)像是實(shí)驗(yàn)平臺(tái),,供芯片制造廠學(xué)習(xí)如何使用高NA EUV技術(shù),而預(yù)計(jì)2025年發(fā)貨的下一代EXE:5200,才能支持大規(guī)模量產(chǎn),。
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2023-9-11 10:23 上傳
Intel最初計(jì)劃在其18A(1.8nm)工藝節(jié)點(diǎn)使用ASML的高NA EUV光刻機(jī),,2025年量產(chǎn),但后來提前到了2024年下半年,,等不及ASML的新機(jī)器,。
于是,Intel就改用0.33 NA NXE:3600D/3800E,,疊加雙重曝光來實(shí)現(xiàn)18A工藝,,同時(shí)使用應(yīng)用材料的Endura Sculpta的曝光成形系統(tǒng)來盡可能減少雙重曝光的使用。
盡管如此,,Intel依然會(huì)是高NA EUV光刻機(jī)的第一家客戶,,可能會(huì)在18A節(jié)點(diǎn)的后期引入它,。臺(tái)積電,、三星都計(jì)劃在2025年晚些時(shí)候投產(chǎn)2nm工藝,或許也會(huì)用上高NA EUV光刻機(jī),。
至于這種先進(jìn)光刻機(jī)的價(jià)格,,沒有官方數(shù)據(jù),不同報(bào)告估計(jì)在單臺(tái)成本就要3-4億美元,,相當(dāng)于人民幣22-29億元,。
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