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英特爾今天(2011-05-05)表示,在微處理器上實現(xiàn)了歷史性的技術突破:成功開發(fā)世界首個3D晶體管,,名叫Tri-Gate,。
據(jù)英特爾介紹說,,3-D Tri-Gate晶體管能夠支持技術發(fā)展速度,,它能讓摩爾定律延續(xù)數(shù)年,。該技術能促進處理器性能大幅提升,,并且可以更節(jié)能,新技術將用在未來22納米設備中,,包括小的手機到大的云計算服務器都可以使用,。根據(jù)英特爾的解釋,公司重新為芯片設計了電子開關(即晶體管),,在過去開關是平面的,,現(xiàn)在增加了第三維,它由硅基向上突出,。例如,,當土地有限,要增加辦公室就可以蓋摩天大樓,。新的3D晶體管道理與此相似,。
英特爾展示了22納米處理器,代號為Ivy Bridge,,它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片,。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質性的區(qū)別,它不只可以用在電腦,、手機和消費電子產(chǎn)品上,,還可以用在汽車、宇宙飛船,、家用電器,、醫(yī)療設備和其它多種產(chǎn)品中。
英特爾CEO歐德寧說:“英特爾的科學家和工程師曾經(jīng)重新發(fā)明晶體管,,這一次利用了3D架構,。很讓人震驚,改變世界的設備將被創(chuàng)造出來,,我們將把摩爾定律帶入新的領域,。”
長久以來,,科學家就認識到3D架構可以延長摩爾定律時限,。這次突破可以讓英特爾量產(chǎn)3-D Tri-Gate晶體管,從而進入到摩爾定律的下一領域,。
摩爾定律認為由于硅技術的發(fā)展,,每2年晶體管密度就會翻倍,它能增強功能和性能,降低成本,。在過去四十年里,,摩爾定律成為半導體產(chǎn)業(yè)的基本商業(yè)模式。
通過使用3D晶體管,,芯片可以在低電壓和低泄露下運行,,從而使性能和能耗取得大幅改進。在低電壓條件下,,22納米的3-D Tri-Gate晶體管比英特爾32納米平面晶體管性能提高37%,。這意味著它能用在許多小的手持設備中。另外,,在相同的性能條件下,,新的晶體管耗電不及2D平板晶體管、32納米芯片的一半,。
首款3-D Tri-Gate晶體管22納米芯片代號為Ivy Bridge,,英特爾今天展示了該芯片,它能用在筆記本,、服務器和臺式機中,。Ivy Bridge家族的芯片將成為首個大量生產(chǎn)的3-D Tri-Gate晶體管芯片,它將在年底開始量產(chǎn),。3-D Tri-Gate晶體管還將用在凌動芯片中,。
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米國佬又玩出新花樣了
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