嵌入式系統(tǒng)基礎(chǔ)及知識(shí)及接口技術(shù)總結(jié)

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13,、嵌入式系統(tǒng)的評(píng)價(jià)方法：測(cè)量法和模型法

（1）測(cè)量法是最直接最基本的方法,，需要解決兩個(gè)問(wèn)題：

A,、根據(jù)研究的目的,，確定要測(cè)量的系統(tǒng)參數(shù),。

B,、選擇測(cè)量的工具和方式,。

（2）測(cè)量的方式有兩種：采樣方式和事件跟蹤方式。

（3）模型法分為分析模型法和模擬模型法,。分析模型法是用一些數(shù)學(xué)方程去刻畫(huà)系統(tǒng)的模型,，而模擬模型法是用模擬程序的運(yùn)行去動(dòng)態(tài)表達(dá)嵌入式系統(tǒng)的狀態(tài)，而進(jìn)行系統(tǒng)統(tǒng)計(jì)分析,，得出性能指標(biāo),。

（4）分析模型法中使用最多的是排隊(duì)模型，它包括三個(gè)部分：輸入流,、排隊(duì)規(guī)則和服務(wù)機(jī)構(gòu),。

（5）使用模型對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行評(píng)價(jià)需要解決3個(gè)問(wèn)題：設(shè)計(jì)模型、解模型,、校準(zhǔn)和證實(shí)模型,。

接口技術(shù)1. Flash存儲(chǔ)器

（1）Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器，根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同可以將其分為NOR Flash和NAND Flash兩種,。

（2）Flash存儲(chǔ)器的特點(diǎn)：

A,、區(qū)塊結(jié)構(gòu)：在物理上分成若干個(gè)區(qū)塊，區(qū)塊之間相互獨(dú)立,。

B,、先擦后寫(xiě)：Flash的寫(xiě)操作只能將數(shù)據(jù)位從1寫(xiě)成0，不能從0寫(xiě)成1,，所以在對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行寫(xiě)入之前必須先執(zhí)行擦除操作,，將預(yù)寫(xiě)入的數(shù)據(jù)位初始化為1。擦除操作的最小單位是一個(gè)區(qū)塊，而不是單個(gè)字節(jié),。

C,、操作指令：執(zhí)行寫(xiě)操作，它必須輸入一串特殊指令（NOR Flash）或者完成一段時(shí)序（NAND Flash）才能將數(shù)據(jù)寫(xiě)入,。

D,、位反轉(zhuǎn)：由于Flash的固有特性，在讀寫(xiě)過(guò)程中偶爾會(huì)產(chǎn)生一位或幾位的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤,。位反轉(zhuǎn)無(wú)法避免,，只能通過(guò)其他手段對(duì)結(jié)果進(jìn)行事后處理。

E,、壞塊：區(qū)塊一旦損壞,，將無(wú)法進(jìn)行修復(fù)。對(duì)已損壞的區(qū)塊操作其結(jié)果不可預(yù)測(cè),。

（3）NOR Flash的特點(diǎn)：

應(yīng)用程序可以直接在閃存內(nèi)運(yùn)行,，不需要再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中運(yùn)行。NOR Flash的傳輸效率很高,，在1MB~4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益,，但是很低的寫(xiě)入和擦除速度大大影響了它的性能。

（4）NAND Flash的特點(diǎn)

能夠提高極高的密度單元,，可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度，并且寫(xiě)入和擦除的速度也很快,，這也是為何所有的U盤(pán)都使用NAND Flash作為存儲(chǔ)介質(zhì)的原因,。應(yīng)用NAND Flash的困難在于閃存需要特殊的系統(tǒng)接口。

（5）NOR Flash與NAND Flash的區(qū)別：

A,、NOR Flash的讀速度比NAND Flash稍快一些,。

B、NAND Flash的擦除和寫(xiě)入速度比NOR Flash快很多,。

C,、NAND Flash的隨機(jī)讀取能力差，適合大量數(shù)據(jù)的連續(xù)讀取,。

D,、NOR Flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引進(jìn)來(lái)尋址,，可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個(gè)字節(jié),。NAND Flash的地址、數(shù)據(jù)和命令共用8位總線（有寫(xiě)公司的產(chǎn)品使用16位）,，每次讀寫(xiě)都要使用復(fù)雜的I/O接口串行地存取數(shù)據(jù),。

E、NOR Flash的容量一般較小,，通常在1MB~8MB之間,；NAND Flash只用在8MB以上的產(chǎn)品中,。因此，NOR Flash只要應(yīng)用在代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中,，NAND Flash適用于資料存儲(chǔ),。

F、NAND Flash中每個(gè)塊的最大擦寫(xiě)次數(shù)是一百萬(wàn)次,，而NOR Flash是十萬(wàn)次,。

G、NOR Flash可以像其他內(nèi)存那樣連接,，非常直接地使用,，并可以在上面直接運(yùn)行代碼；NAND Flash需要特殊的I/O接口,，在使用的時(shí)候,，必須先寫(xiě)入驅(qū)動(dòng)程序，才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作,。因?yàn)樵O(shè)計(jì)師絕不能向壞塊寫(xiě)入,，這就意味著在NAND Flash上自始至終必須進(jìn)行虛擬映像。

H,、NOR Flash用于對(duì)數(shù)據(jù)可靠性要求較高的代碼存儲(chǔ),、通信產(chǎn)品、網(wǎng)絡(luò)處理等領(lǐng)域,，被成為代碼閃存,；NAND Flash則用于對(duì)存儲(chǔ)容量要求較高的MP3、存儲(chǔ)卡,、U盤(pán)等領(lǐng)域,，被成為數(shù)據(jù)閃存信盈達(dá)嵌入式企鵝要妖氣嗚嗚吧久零就要。

2,、RAM存儲(chǔ)器

（1）SRAM的特點(diǎn)：

SRAM表示靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,，只要供電它就會(huì)保持一個(gè)值，它沒(méi)有刷新周期,，由觸發(fā)器構(gòu)成基本單元,，集成度低，每個(gè)SRAM存儲(chǔ)單元由6個(gè)晶體管組成,，因此其成本較高,。它具有較高速率，常用于高速緩沖存儲(chǔ)器,。

通常SRAM有4種引腳：

CE：片選信號(hào),，低電平有效。
R/W：讀寫(xiě)控制信號(hào)。
ADDRESS：一組地址線,。
4 J# e9 M( H6 N& V3 @3 F8 A" FDATA：用于數(shù)據(jù)傳輸?shù)囊唤M雙向信號(hào)線,。

（2）DRAM的特點(diǎn)：

DRAM表示動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這是一種以電荷形式進(jìn)行存儲(chǔ)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,。它的每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成,，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在電容器中。電容器會(huì)由于漏電而導(dǎo)致電荷丟失,，因而DRAM器件是不穩(wěn)定的,。它必須有規(guī)律地進(jìn)行刷新，從而將數(shù)據(jù)保存在存儲(chǔ)器中,。

DRAM的接口比較復(fù)雜,，通常有一下引腳：

CE：片選信號(hào)，低電平有效,。
' D7 r# i) A+ U2 O$ [( w& v6 bR/W：讀寫(xiě)控制信號(hào),。
RAS：行地址選通信號(hào)，通常接地址的高位部分,。
CAS：列地址選通信號(hào),，通常接地址的低位部分。
ADDRESS：一組地址線,。
DATA：用于數(shù)據(jù)傳輸?shù)囊唤M雙向信號(hào)線,。

（3）SDRAM的特點(diǎn)：

SDRAM表示同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。同步是指內(nèi)存工作需要同步時(shí)鐘,，內(nèi)部的命令發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn),；動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)器陣列需要不斷的刷新來(lái)保證數(shù)據(jù)不丟失。它通常只能工作在133MHz的主頻,。

（4）DDRAM的特點(diǎn)

DDRAM表示雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，也稱DDR,。DDRAM是基于SDRAM技術(shù)的,，SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時(shí)鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸,；而DDR內(nèi)存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù),，它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)。在133MHz的主頻下,，DDR內(nèi)存帶寬可以達(dá)到133×64b/8×2＝2.1GB/s,。

## 3、硬盤(pán),、光盤(pán),、CF卡、SD卡

4、GPIO原理與結(jié)構(gòu)

GPIO是I/O的最基本形式,，它是一組輸入引腳或輸出引腳,。有些GPIO引腳能夠加以編程改變工作方向，通常有兩個(gè)控制寄存器：數(shù)據(jù)寄存器和數(shù)據(jù)方向寄存器,。數(shù)據(jù)方向寄存器設(shè)置端口的方向,。如果將引腳設(shè)置為輸出，那么數(shù)據(jù)寄存器將控制著該引腳狀態(tài),。若將引腳設(shè)置為輸入,，則此輸入引腳的狀態(tài)由引腳上的邏輯電路層來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)它的控制。

5,、A/D接口

（1）A/D轉(zhuǎn)換器是把電模擬量轉(zhuǎn)換為數(shù)字量的電路,。實(shí)現(xiàn)A/D轉(zhuǎn)換的方法有很多，常用的方法有計(jì)數(shù)法,、雙積分法和逐次逼進(jìn)法,。

（2）計(jì)數(shù)式A/D轉(zhuǎn)換法

其電路主要部件包括：比較器、計(jì)數(shù)器,、D/A轉(zhuǎn)換器和標(biāo)準(zhǔn)電壓源,。

其工作原理簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是，有一個(gè)計(jì)數(shù)器,，從0開(kāi)始進(jìn)行加1計(jì)數(shù),，每進(jìn)行一次加1，該數(shù)值作為D/A轉(zhuǎn)換器的輸入,，其產(chǎn)生一個(gè)比較電壓VO與輸入模擬電壓VIN進(jìn)行比較,。如果VO小于VIN則繼續(xù)進(jìn)行加1計(jì)數(shù)，直到VO大于VIN,，這時(shí)計(jì)數(shù)器的累加數(shù)值就是A/D轉(zhuǎn)換器的輸出值,。

這種轉(zhuǎn)換方式的特點(diǎn)是簡(jiǎn)單，但是速度比較慢,，特別是模擬電壓較高時(shí),，轉(zhuǎn)換速度更慢。例如對(duì)于一個(gè)8位A/D轉(zhuǎn)換器,，若輸入模擬量為最大值,，計(jì)數(shù)器要從0開(kāi)始計(jì)數(shù)到255，做255次D/A轉(zhuǎn)換和電壓比較的工作,，才能完成轉(zhuǎn)換,。

（3）雙積分式A/D轉(zhuǎn)換法

其電路主要部件包括：積分器、比較器,、計(jì)數(shù)器和標(biāo)準(zhǔn)電壓源,。

其工作原理是,，首先電路對(duì)輸入待測(cè)電壓進(jìn)行固定時(shí)間的積分，然后換為標(biāo)準(zhǔn)電壓進(jìn)行固定斜率的反向積分,，反向積分進(jìn)行到一定時(shí)間,，便返回起始值。由于使用固定斜率,，對(duì)標(biāo)準(zhǔn)電壓進(jìn)行反向積分的時(shí)間正比于輸入模擬電壓值,，輸入模擬電壓越大，反向積分回到起始值的時(shí)間越長(zhǎng),。只要用標(biāo)準(zhǔn)的高頻時(shí)鐘脈沖測(cè)定反向積分花費(fèi)的時(shí)間,，就可以得到相應(yīng)于輸入模擬電壓的數(shù)字量，也就完成了A/D轉(zhuǎn)換,。

其特點(diǎn)是,，具有很強(qiáng)的抗工頻干擾能力，轉(zhuǎn)換精度高,，但轉(zhuǎn)換速度慢,，通常轉(zhuǎn)換頻率小于10Hz，主要用于數(shù)字式測(cè)試儀表,、溫度測(cè)量等方面,。

（4）逐次逼近式A/D轉(zhuǎn)換法

其電路主要部件包括：比較器、D/A轉(zhuǎn)換器,、逐次逼近寄存器和基準(zhǔn)電壓源,。

其工作原理是，實(shí)質(zhì)上就是對(duì)分搜索法,，和平時(shí)天平的使用原理一樣,。在進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換時(shí)，由D/A轉(zhuǎn)換器從高位到低位逐位增加轉(zhuǎn)換位數(shù),，產(chǎn)生不同的輸出電壓,，把輸入電壓與輸出電壓進(jìn)行比較而實(shí)現(xiàn)。首先使最高位為1,，這相當(dāng)于取出基準(zhǔn)電壓的1/2與輸入電壓比較,，如果在輸入電壓小于1/2的基準(zhǔn)電壓，則最高位置0,，反之置1。之后,，次高位置1,，相當(dāng)于在1/2的范圍中再作對(duì)分搜索，以此類推,，逐次逼近,。

其特點(diǎn)是,，速度快，轉(zhuǎn)換精度高,，對(duì)N位A/D轉(zhuǎn)換器只需要M個(gè)時(shí)鐘脈沖即可完成,，一般可用于測(cè)量幾十到幾百微秒的過(guò)渡過(guò)程的變化，是目前應(yīng)用最普遍的轉(zhuǎn)換方法,。

（5）A/D轉(zhuǎn)換的重要指標(biāo)（有可能考一些簡(jiǎn)單的計(jì)算）

A,、分辨率：反映A/D轉(zhuǎn)換器對(duì)輸入微小變化響應(yīng)的能力，通常用數(shù)字輸出最低位（LSB）所對(duì)應(yīng)的模擬電壓的電平值表示,。n位A/D轉(zhuǎn)換器能反映1/2n滿量程的模擬輸入電平,。

B、量程：所能轉(zhuǎn)換的模擬輸入電壓范圍,，分為單極性和雙極性兩種類型,。

C、轉(zhuǎn)換時(shí)間：完成一次A/D轉(zhuǎn)換所需要的時(shí)間,，其倒數(shù)為轉(zhuǎn)換速率,。

D、精度：精度與分辨率是兩個(gè)不同的概念,，即使分辨率很高,，也可能由于溫漂、線性度等原因使其精度不夠高,。精度有絕對(duì)精度和相對(duì)精度兩種表示方法,。通常用數(shù)字量的最低有效位LSB的分?jǐn)?shù)值來(lái)表示絕對(duì)精度，用其模擬電壓滿量程的百分比來(lái)表示相對(duì)精度,。

例如,，滿量程10V，10位A/D芯片,，若其絕對(duì)精度為±1/2LSB,，則其最小有效位LSB的量化單位為：10/1024＝9.77mv，其絕對(duì)精度為9.77mv/2＝4.88mv,，相對(duì)精度為：0.048％,。

! O2 o/ @+ J* L# x* `: ?

淡然

機(jī)械工程師可能看不懂，不知道別人怎樣,，我是看不懂,。

lose2836

只能看看，感覺(jué)實(shí)際操作問(wèn)題很多,。前段沒(méi)事玩stm32最小板,，GPIO太煩了,，感覺(jué)還是看寄存器地址直接來(lái)的比較容易懂。本想改個(gè)智能小車用,，后來(lái)發(fā)現(xiàn),，這貨對(duì)于新手來(lái)說(shuō)能力有限。

675452577

好東西
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